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Nec 関西エレクトロニクス研究所 | 論文
- 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ
- C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討
- C-10-7 DPSK/DQPSK光受信用差動トランスインピーダンス増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
- 高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- TC-1-6 超高周波帯モジュールの例(2) : ミリ波通信用モジュールとフリップチップボンディング技術
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