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Nec関西エレクトロニクス研究所 | 論文
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- C-2-57 中間周波数での安定性を高めたV帯高出力アンプ
- 超微細ショットキー・ゲートFETのソース及びドレイン抵抗の簡易測定
- 8パラメータ真性FET小信号等価回路モデル
- ショットキーゲートFETの寄生抵抗値及び容量値評価方法
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- AIGaAs/InGaAsヘテロ接合FETを用いた60GHz帯低雑音増幅器
- V帯2段低雑音増幅器MMIC
- 1.3μm帯歪MQWレーザの高温高効率特性
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- 共鳴トンネルトランジスタのマイクロ波特性
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
- 2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- 2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性