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Nec関西エレクトロニクス研究所 | 論文
- 60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機
- Al_Ga_Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性
- 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価
- コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電力PDC出力特性評価
- デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET
- B-5-287 ミリ波アドホック無線アクセスシステムIII : (5)70GHz帯SSB自己ヘテロダイン方式トランシーバ(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス))
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET
- 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- Ptショットキゲート高電流InP MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器御
- C-10-1 新規プロセス(EMMIE)を用いて作製した75GHz高利得HJFET MMIC増幅器
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET