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Necシステムデバイス・基礎研究本部 | 論文
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- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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- Mnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネル接合
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- 23aYH-9 サブミクロンの空間分解能をもつX線位相顕微鏡の開発
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- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
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