スポンサーリンク
NTT物性基礎研 | 論文
- 25p-YA-7 核整列固体ヘリウム3における超音波測定II
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 23pXL-13 並列二重ドット系のFull Counting Statistics I(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pXL-14 並列二重ドット系のFull Counting Statistics II(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-11 並列二重ドットにおける干渉効果と輸送特性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
- 3D12 剛直棒状高分子におけるネマティック-スメクチック-カラムナー液晶相転移挙動の観測
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 原子間力顕微鏡によるナノ構造計測
スポンサーリンク