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NEC ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET
- 圧縮/伸張器混載DRAM
- GByte/sクラス skewless並列光インターコネクション (2)
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(3)
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(2) : DARM部について
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(1)
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用
- RuO2ドライエッチングにおける塩素添加効果 : 導電性酸化膜から成るGbクラスDRAM容量電極の微細加工方法