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NEC シリコンシステム研究所 | 論文
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- 5)1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- 組込み向けマルチメディア処理プロセッサに適したスーパースカラ演算ユニットのアーキテクチャ
- 組込み向けマルチメディア処理プロセッサに適したスーパースカラ演算ユニットのアーキテクチャ
- 4)真温度分布撮像のための2波長赤外イメージセンサの開発(情報入力研究会)
- 機能メモリのアーキテクチャとその並列計算への応用 2. 集積回路技術からみた機能メモリの現状と展望
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- EB直描を用いた先端デバイスの試作
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- 5-11 CCDイメージセンサにおける水平駆動電圧低減の検討
- 29-5 CCD出力アンプのS/N向上に関する検討
- 3)新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)