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NECエレクトロニクス | 論文
- 車載画像認識のための並列処理アーキテクチャ
- 先端デバイスの故障メカニズムと寿命分布(「信頼性・保全性・安全性の事例:材料・部品・デバイス編」〜信頼性ハンドブック出版から10年を経て〜)
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
- 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- Au薄膜を介したCu電極の微細ピッチCoC(チップ・オン・チップ)実装技術開発
- 接着樹脂層形成チップと超音波接合法を用いたChip-On-Chip集積化技術
- LSI3次元実装技術の最新動向
- 0.13μmCMOSに向けた新配線設計コンセプト「トリプル・ダマシン」を用いた性能向上
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 (シリコン材料・デバイス)
- p^+-GaAsゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)