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MIRAI-Selete | 論文
- 依頼講演 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 (集積回路)
- 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
- 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 90nm CMOS差動対トランジスタのV_とAC応答のその場評価(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
- 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
- 21aRB-5 ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-13 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- CVD成長多層グラフェン膜の顕微ラマン分光とバルク敏感XPSによる評価
- 電析CoNiFe膜の結晶構造, 膜密度と飽和磁化
- ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセス
- LSIオンチップ光配線技術(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-14-4 エアロゾルデポジション法により作製された超小型光ファイバ端電気光学プローブ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- CI-2-10 光配線 : チップ間からチップ上、チップ内ヘ(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- オンチップ光配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
- SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
- SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
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