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静岡大 電子工研 | 論文
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
- 2)SiMTIS素子列の特性と走査回路への応用((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
- 9)1次元集積化スキャニスタの特性(第41回テレビジョン電子装置研究会)
- 銀イオンセンサとしての非晶質As_2Se_3:Ag電極
- スパッタ法によるa-GeC:H薄膜の微結晶化
- SF_6を用いた高周波スパッタ法によるa-SiCS:H:F薄膜特性への高周波電力の効果
- 硫化水素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法による a-SiCS : H 薄膜
- メタンとフッ化硫黄を用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiCS:H:F薄膜
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 分光エリプソメトリによるa-SiN_x薄膜の光学的特性評価
- 分光エリプソメトリによるInAs陽極酸化層の光学的特性評価
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 窒素イオンビームによるInP(001)表面の窒化
- 1)photoconductorを用いた固体撮像装置の基礎実験(第19回 固体画像変換装置研究委員会)