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静岡大 電子工研 | 論文
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- エレクトロクロミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- エレクトロクミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 次世代デバイス用ゲート絶縁膜としてのハフニウム系薄膜の表面分析法を用いた評価
- (NH_4)_2S_x溶液処理したInAs(lll)表面の研究
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InSb(001)表面の研究
- Bi_2(Sr_1-_xLa_x)_2CoO_yセラミックの作製と電子状態の研究
- 高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH_4)_2S_x処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(II)
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 高分解能X線光電子分光(XPS)による(NH_4)_2S_x処理InAs(001)表面の研究
- Zn-Mn合金電気めっきの皮膜構造解析
- 熱延鋼板における溶融亜鉛めっき合金化挙動
- Si含有鋼板の表面構造と溶融亜鉛めっき密着性の関係
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(無重力下における結晶成長)
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