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静岡大 電子工研 | 論文
- エリプソメトリによる薄膜堆積初期過程の「その場」計測
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 4ゾーン消光型分光エリプソメータの試作と応用
- サーメットの光吸収
- シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(II) : SIMOXの上部Si層
- アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
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- 戻り光の誘導変調による複合干渉計型ファイバ-センサ-
- 酸化ニッケルEC膜の電気化学測定
- 1p-B-1 アモルファスAs_2Se_3へのCu添加効果
- 非晶質As_2Se_3の電気および光学的性質への銀添加の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Cuの電気的・光学的性質
- 31a GE-1 非晶質As_2Se_3銀添加効果
- 酸化タングステン・スパッタ膜の着色効率とエージング
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用