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静岡大 電子工研 | 論文
- 高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用
- ステアリン酸カドミウムLB膜の導電性欠陥
- 分光エリプソメトリによるRFスパッタa-Sin薄膜の堆積過程モニタリング
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- マグネトロンスパッタ法によって作製したSi系水素化非晶質半導体薄膜の特性
- 複合ターゲット法によるGa添加a-SiC:H薄膜
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- Co-sputter法によるAl及びIn添加a-SiC:H薄膜の作製と光学的特性
- μg下と1g下におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験と数値解析 : 溶液成長
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- アモルファスWO_3薄膜の光学吸収帯
- 窒素リモートプラズマCVD法によるSiCxNy薄膜の形成
- 金属微粒子物性の粒子サイズ依存
- エレクトロクロミックWO_3スパッタ膜の赤外吸収スペクトル
- 12p-R-10 アモルファスAs_2Se_3の光導電効果の温度特性
- アモルファスAs_2Se_3の光吸収と光導電効果
- スパッタリング雰囲気への水素導入による酸化ニッケル膜の作製とエレクトロクロミック特性
- 25a-ZG-13 DSC分析によるアモルファスAs_2Se_3の結晶化
- Ag及びCu添加アモルファスAs_2Se_3の光電流長時間減衰の分散型伝導