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静岡大学工学部:科学技術振興機構 | 論文
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
- 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
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- MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
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- MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
- LSAT基板上GaN薄膜のエピタキシャル成長
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- 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
- MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響