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金沢大学理工研究域 | 論文
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
- 3P-084 高速AFMによる紫膜中のバクテリオロドプシン分子間相互作用の直接観察(膜蛋白質,第46回日本生物物理学会年会)
- 2P134 高速AFMによるアクトミオシンVの動態観察(分子モーター,口頭発表,第45回日本生物物理学会年会)
- 2P042 高速原子間力顕微鏡を用いたシャペロニンGroELにおける基質タンパク質の結合と解離の一分子観察(蛋白質(構造・構造機能相関),口頭発表,第45回日本生物物理学会年会)
- 1P101 高速AFMによるbR2次元結晶の脱結晶化及び再結晶化のダイナミックイメージング(膜蛋白質,ポスター発表,第45回日本生物物理学会年会)
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
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