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筑波大数理 | 論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 28pPSA-40 Co-Feシアノ架橋金属錯体の構造ダイナミクス(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-71 Co-Feシアノ架橋金属錯体の構造ダイナミクス(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYD-4 M-Feシアノ錯体(M=Mn,Fe,Co)における過渡吸収スペクトルの観測(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- 25aYA-7 正方形メゾスコピック超伝導体における局所電流注入による渦糸状態操作II(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
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