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産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター | 論文
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 応用物性
- 応用物性
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
- DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
- 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
- 2p-S-4 C_8Kの清浄劈開面の表面活性
- 4a-KH-8 C_8Kのエネルギー損失スペクトルII
- 12a-E-6 C_8Kのエネルギー損失スペクトル