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産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター | 論文
- 30a-Y-11 グラファイトのエネルギー損失分光
- 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
- 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
- 電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析
- 電子スピン共鳴法による表面ダングリングボンドの生成消滅のその場観察
- シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)
- プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(ダイヤモンド成長)