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松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター | 論文
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 低歪みGaAs直交変調器ICの検討
- 移動体通信用 超小型受信フロントエンドHIC
- オンチップ高誘電体キャパシタを用いた移動体通信用超小型フロントエンドHIC
- 入力側2次高調波制御による高効率電力増幅器
- AIN基板の放熱特性とパワーMCMへの応用
- 低電圧・高効率GaAsパワーモジュールの最適設計
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)