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松下電器産業半導体研究センター | 論文
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
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- 高速低消費電力SDRAM用容量結合型メモリバス方式
- ブロックアクセスモード搭載200MHz16MbitシンクロナスDRAMの回路技術
- SCM映像伝送用MQW-DFBレーザにおける広帯域低歪化の検討
- C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaAs/GaAs多重量子細線の作製
- マイコンコア用高密度セルライブラリ
- マルチメディア対応4.4Mビット3ポートVRAM
- 高効率冗長方式、システムLSI向けテスト容易化機能搭載の0.13μm 32M/64Mビット混載DRAMコア
- 携帯機器用画像処理システムLSI向け小面積、低消費電力混載DRAMマクロ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- MPEG2対応リアルタイム動き検出LSI
- MPEG2対応リアルタイム動き検出LSI
- 高速・低電圧16M CMOS DRAM
- ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発