スポンサーリンク
松下電器産業半導体研究センター | 論文
- 28a-ZB-6 InGaAs/InP多層膜界面の高分解能電子顕微鏡像
- 30a-L-2 InGaAs/InP多層結晶のHRTEM観察
- 低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO_3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
- 可飽和吸収層を有する自励発振型赤色半導体レーザ
- 高速低消費電流(10GB/s
- Qbdによるゲート酸化膜の定電圧TDDB寿命の評価
- 高速リングオシレータ動作におけるMOSEFTのホットキャリア劣化
- 高ゲートストレス下におけるpMOSFETの劣化現象
- 光ヘッド用モノリシック2波長レーザー
- 移動体通信用GaAs受信フロントエンドIC/HIC (移動体通信特集) -- (要素技術)
- レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発(要素回路技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- リアルタイムMPEG2コーディク用DSP
- W-CDMA 基地局用2.1GHz GaAs 直接直交変調器 IC
- W-CDMA基地局用2.1GHz GaAs直接直交変調器IC
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性