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東理大・理 | 論文
- 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-6 非晶質水素化並びに多結晶シリコンカーバイド膜の光学ギャップ(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
- 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
- RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
- LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
- 17aTF-11 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 17aTE-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_のトンネルスペクトル上のdip構造とResonance Spin Excitationとの関係
- 28aTA-4 プラズマCVD法によるシリコンカーバイド薄膜のFTIRと生成機構
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
- 24pSG-8 トンネル分光法によるBi_2Sr_La_xCuO_の超伝導ギャップのdoping依存性
- 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
- 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
- 24aPS-10 多層系銅酸化物の超伝導ギャップのドーピング依存性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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