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東京理科大学理学部応用物理学科 | 論文
- Co置換Biフェライト薄膜の室温での強誘電性および磁気特性
- 27aPS-28 量子磁壁をめぐる特異な現象とその理論
- 遷移金属酸化物における非整合構造とフラックス状態
- ラッティンジャーの定理とトポロジカルな量子化
- 量子スピン鎖における磁化プラトー
- 27a-YF-4 ドープした1次元 Ni 酸化物 Y_Ca_XBaNiO_5における不整合磁気状態
- 27a-YF-3 二重交換模型における"Flux"state
- 6p-YF-5 量子スピン系における磁化のプラトー
- 窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 19pTG-4 プラズマCVDおよびCat-CVDによるSiCの低温成長機構(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 28pXJ-2 Cat-CVDによるμc-SiCの低温成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- 25pB04 通電加熱シリコン基板へのガス・クラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-8 RF プラズマ CVD 法における a-SiC; H 膜の光学ギャップ(結晶成長, 領域 9)
- 29pWP-2 通電加熱シリコン基板へのガスクラッキングによるシリコンカーバイド低圧CVD(結晶成長)(領域9)
- RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
- LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
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