スポンサーリンク
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター | 論文
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 次世代ゲート絶縁膜の課題とコンビナトリアル手法による材料探索
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- C-13-2 水晶振動子匂いセンサ用マルチチャンネル高速周波数変化計測回路の研究
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))