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日立超lsiシステムズ | 論文
- 1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 論理混載チップのためのDRAMマクロのモジュール化設計方式の提案
- 高速高密度RAM : PLEDM : Phase-State Low Electron-number Drive Memory
- PLEDM用縦型積層トランジスタ
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- 60GHzプッシュプッシュ発振器
- ホールフィリング : セレクタ論理を使った新しい遅延時間削減方法
- SCL回路を用いたメモリ用デコーダ回路の検討
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
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- 超高速SRAM用ワード線放電回路の提案
- 超高速ECL-CMOS SRAMのビット線負荷の配置に関する検討
- ダミーメモリセルを用いた超高速SRAM用書き込みパルス発生回路
- SRAMメモリセルの面積縮小とα線耐性の関係に関する検討
- 超高速SRAM用位相補償形センスアンプ活用化回路の検討
- ECL-CMOS SRAM用書き込み回路の検討
- 30ps-120k ゲート内蔵 0.9ns-1.15Mb ECL-CMOS SRAM
- TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成
- ビジュアルDEQSOLシステム1 : DEQSOL高水準デバッガおよび実行診断システム
- SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響