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日立機械研 | 論文
- 2相ステンレス鋼における熱時効脆化の加速試験
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
- MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
- 2512 高感度ひずみセンサによるひずみモニタリング(J10-3 計測・モニタリング・解析(3),J10 知的材料・構造システム)
- 機械系センサネット用低消費電力半導体ひずみセンサの開発
- 3207 半導体ひずみセンサによる2軸ひずみ場の計測(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3206 半導体ひずみセンサによる回転体のひずみモニタリング(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3205 ひずみセンサの感度に関する考察(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 半導体ひずみセンサを用いたひずみ検知マテリアル(J09-1 モニタリング,J09 知的材料・構造システム)
- 銅配線構造における応力誘起ボイドに関する検討(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案 : 転位発生限界値のデバイス構造依存性
- シリコン基板内応力特異場における転位発生強度の酸素濃度依存性
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 半導体ひずみセンサによるボルト軸力モニタリング(OS1-4 機器・金属,OS1 構造ヘルスモニタリング)
- 710 引張試験によるスパッタ銅薄膜の機械強度評価(薄膜の創成と特性評価,一般セッション,第53期学術講演会)
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