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日本電信電話(株)NTTフォトニクス研 | 論文
- C-10-19 RTD多値量子化器を用いたΔΣ変調器の基本設計
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
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- C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET