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日本電信電話(株)NTTフォトニクス研 | 論文
- C-10-14 光多値伝送に向けた高速D/A変換器モジュール(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-40 小型表面実装パッケージ入り32GHz移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 InP HBTドライバ回路の高速化と高波形品質化の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器