スポンサーリンク
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研 | 論文
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
- C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
スポンサーリンク