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日新イオン機器株式会社 | 論文
- シリコン電界放出電子源から放出される電子のエネルギー分析
- イオン注入装置の帯電緩和素子への応用を目指したシリコンフィールドエミッタアレイの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30p-J-4 低エネルギー多価イオン衝突XII. 多電子移行の統計模型
- 30p-J-3 低エネルギー多価イオン衝突XI. Kr^-分子ガスターゲットの多電子移行
- 30p-J-2 低エネルギー多価イオン衝突X. Xe^と希ガス原子との電荷移行反応
- 2a-SA-10 低エネルギー多価イオン衝突 VIII : Ar^, Kr^, Xe^とH_2, Heとの電荷移行反応
- 2a-SA-9 低エネルギー多価イオン衝突 IX : Kr^とNe, Ar, Kr, Xeとの電荷移行反応
- 31p-N-11 低エネルギー多価イオン衝突VII : 多価NeイオンとH_2,Heの電荷移行反応
- 5a-NW-7 低エネルギー多価イオン衝突VI. 改良された衝突実験装置の特性
- 5a-NW-6 低エネルギー多価イオン衝突V. He^の電荷移行反応III
- 30p-W-23 チャンネルトロン及びマイクロチャンネルプレートのイオン検出特性
- 1a-B-10 低エネルギー多価イオン衝突IV : He^の電価移行反応 II
- 1a-S-3 低エネルギー多価イオン衝突III He^と希ガスの電荷変換衝突
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- イオンドーピングした不純物の活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価)
- シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響