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日新イオン機器株式会社 | 論文
- ポリイミド膜への低加速イオン照射による液晶配向制御 : IPS-LCDへの応用
- ポリイミド膜への低加速イオン照射による液晶配向制御 : IPS-LCDへの応用
- ポリイミド膜への低加速イオン照射による液晶配向制御 : IPS-LCDへの応用(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ジボランイオン注入によってシリコンに添加されたボロンの活性化
- 負イオン注入における絶縁した電極表面の帯電電位のイオン電流密度依存性
- 6. NBI技術の波及効果(NBI : 核融合炉に向けた物理・工学の進展)
- 極浅接合形成用イオン注入装置の開発
- 微細周期構造にイオン注入したときの素子帯電のシミュレーション
- イオン誘起二次電子による負イオン注入時の絶縁物基板の帯電測定
- 絶縁性基板への負イオン注入によるチャージアップの軽減
- 負イオン注入における基板帯電モデルとその評価
- イオン誘起二次電子分析による負イオン注入時のレジスト膜の帯電測定
- 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))