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山梨大学工学部電気電子システム工学科 | 論文
- 均一な組成をもつIn_1_-_xGa_xP単結晶
- 徐冷法によるIn_1-_x_Ga_xP単結晶の成長
- ダイオードのスイッチ特性に及ぼすドリフト電界の効果(補遺)
- 二重拡散法によるシリコン超階段接合ダイオード
- ダイオードのスイッチ特性に及ぼすドリフト電界の効果
- GaAsダイオードの構造とレーザー発光特性の関係
- X線トポグラフィによるSiおよびGaAsの転位の観測
- 拡散形GaAsスイッチダイオード
- 銅をドープしたゲルマニウムエサキダイオードの過剰電流
- 超階段接合におけるツェナ降伏電圧
- エサキダイオードの静特性直視装置
- 超階段形接合可変容量ダイオードの耐圧
- O_2/Ar混合ガスの1MHz放電特性
- 宝飾工芸品製作のためのレーザリソグラフィ(第2報) : 斜め照射法の積層アルゴリズム
- 宝飾工芸品製作のためのレーザリソグラフィ(第1報) : 斜め照射の提案
- レーザリソグラフィーにおける光照射制御に関する研究(第三報) -積層アルゴリズム-
- 相関を用いた超音波センサの高速演算手法
- アダプティブランレングスDCT符号化の符号量制御
- GaAs on Ge太陽電池に関する研究
- シリコン超階段接合ダイオードの直列抵抗