スポンサーリンク
富士通株式会社:株式会社富士通研究所 | 論文
- 小型ゼロチャープ10Gb/s LiNbO_3変調器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 小型ゼロチャープ10Gb/s LiNbO_3変調器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 小型ゼロチャープ10Gb/s LiNbO_3変調器(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 超高周波対応ローコストMMICパッケージ
- 低半波長電圧型強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を用いた短パルス生成の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低半波長電圧型強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を用いた短パルス生成の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
- CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- 高電圧動作によるAlGaN/GaN HEMTの相互変調歪プロファイル改善
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力InGaP/GaAs HBTの位相歪みとACP特性
- InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響
- 低電圧動作LバンドInGaP/GaAs パワーHBT
- AOTFのビート雑音低減
- 偏光無依存化Ti:LiNbO_3高速光スイッチの検討
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
- ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般)
スポンサーリンク