低半波長電圧型強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を用いた短パルス生成の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
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概要
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位相変調と強度変調により生成される平坦な光周波数コムを用いたピコ秒短パルス光源の検討を行った。10GHzで位相変調の半波長電圧が1.3Vの強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を作製し,単一波長の連続光から帯域7nm以上で強度が一様の光周波数コムを生成し,これを用いて繰り返し周波数10GHzでパルス幅1.7psのフーリエ変換限界の短パルス生成に成功したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-29
著者
-
尾中 寛
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
-
土居 正治
株式会社富士通研究所
-
尾中 寛
株式会社富士通研究所
-
土居 正治
富士通株式会社
-
杉山 昌樹
株式会社富士通研究所
-
二見 史生
(株)富士通研究所
-
渡辺 茂樹
(株)富士通研究所
-
渡辺 茂樹
株式会社富士通研究所
-
土居 正治
株式会社富士通研究所:富士通株式会社
-
土居 正治
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
-
杉山 昌樹
株式会社富士通研究所:富士通株式会社
-
尾中 寛
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社
-
二見 史生
株式会社富士通研究所
-
尾中 寛
株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会
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