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富士通株式会社:株式会社富士通研究所 | 論文
- C-4-8 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域 (132nm) 波長可変レーザ
- 光ADM用チューナブル波長フィルタ
- 光ADM用AOTF
- 薄膜SAWガイドを用いたTi:LiNbO_3 AOTF
- Ti : LiNbO_3折り返し導波路の作製
- ASE除去用の低損失・狭帯域AOTF
- AOTFの挿入損失低減
- B-7-23 光バースト・テラビット級スーパーネットワークの設計(B-7.情報ネットワーク,一般講演)
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CS-9-3 GaN高周波応用技術の現状と展望(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- 低半波長電圧型強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を用いた短パルス生成の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-6-5 集積LN多値変調器(CS-6.コヒーレント通信用光デバイスの進展,シンポジウムセッション)
- OCS2000-42 / PS2000-26 / OFT2000-38 40 Gb/s システム用LiNbO_3変調器
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