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名古屋工業大学機能工学専攻 | 論文

• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• 最新鋭の半導体工場
• SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション

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