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名古屋工業大学機能工学専攻 | 論文
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
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- 光化学堆積法による室温動作水素ガスセンサの作製と評価
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
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- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- MHD乱流のスペクトルとエネルギーカスケード (乱流現象と力学系的縮約)
- C-321 格子ボルツマン法による燃料電池内流動解析
- 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
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