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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | 論文
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
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- メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD(Session 6B : Wide Bandgap Materials and Devices, Power Devices)
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- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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