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古河電工横浜研究所 | 論文
- GaNP SQWを用いた青色LED (窒化物・青色光半導体)
- GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
- 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
- ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500V/2A動作
- GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超電導を含む空間の磁場の解析方法
- Si基板上高出力AlGaN/GaN HFETにおけるVb/Ronの改善
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 「結晶成長の科学と技術」小特集にあたって
- SC-5-8 n-p-n GaNバイポーラトランジスタの試作と高温動作
- 耐環境素子としてのGaN電子デバイス
- 高温動作GaN MESFET
- 高温動作GaN MESFET
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)