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古河電工横浜研究所 | 論文
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- ハイパワーAlGaN/GaN HFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
- 「結晶の完全性を目指して」小特集にあたって
- LEC InP結晶成長におけるエッヂファセット問題 : 融液成長III
- GaAs表面再構成構造とトリメチルガリウムの表面反応
- AlGaN/GaNパワーFET
- 真空一貫プロセスを用いるMOMBE選択成長技術の開発
- 高温超電導体による遮へい