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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- C_7F_を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
- PE-421 Early Detection of Vascular Remodeling by Angiotensin II Receptor Blockers with Carotid Arterial Elastic Modulus in Essentail Hypertension(PE071,Echo/Doppler (Peripheral/Vascular) (I),Poster Session (English),The 73rd Annual Scientific Meeting of t
- Effects of Oxygen and Substrate Temperature on Properties of Amorphous Carbon Films Fabricated by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition Method
- Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors
- SiC上のエピタキシャルグラフェンの成長と電子輸送特性(グラフェンの成長と応用)
- MOVPE選択成長法を用いたInP系ピラー型2次元フォトニック結晶構造の作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
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- 化合物半導体電子デバイス及び関連材料研究の歴史的発展と将来展望(電子デバイス,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
- 電気化学プロセスによる金属ドットアレイの作製
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散紙の伝導機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)