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北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター | 論文
- ラテラルnipi構造の作製とその静電気力顕微鏡による評価
- 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
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- MOVPE選択成長における自己停止機構を利用した量子箱構造の作製と評価
- Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの製作とその電気的特性の評価
- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
- Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用
- Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化
- 半導体ナノ構造の自然形成
- 量子細線・量子ドット構造のAFMによる評価
- 選択成長によるGaAs及びAlGaAs立体構造の作製と評価
- 新しい界面制御技術による化合物半導体の表面パッシベーションとその量子構造への応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- III-V族化合物半導体低次元量子構造の作製