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信越半導体 | 論文
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- 3p-M-10 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察
- 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
- 水素終端Si(100)-2×1表面の初期酸化過程とその界面構造
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- 4a-YG-10 As-grown CZ-Si結晶中の微小欠陥のX線トポグラフィ観察
- 放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察 - 高エネルギーX線・高次反射の利用 -
- 4a-Z-3 X線高次反射トラバーストボグラフ法によるFZ-Si結晶中の微小欠陥の観察
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- 28a-GH-5 一体化E-dE Si検出器(2)
- 31p JA-3 一体化E-dE Si検出器
- 7a-X-2 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察 II
- シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
- シリコンエピタキシャル成長の三次元シミュレーション
- 回転基板上へのシリコンエピタキシャル成長の三次元数値解析
- 輸送現象と表面反応を考慮した SiHCl_3-H_2 系 Si エピタキシャル成長の三次元数値解析
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状