31p JA-3 一体化E-dE Si検出器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-03-15
著者
-
金 致洙
朝鮮大
-
伏見 和郎
東大核研
-
金 漢泰
朝鮮大・工
-
伏見 和郎
東京大学生産技術研究所
-
金 漢泰
朝鮮大工
-
金 致洙
朝鮮大工
-
菊地 光
信越半導体
-
大川 障一
東大核研
-
金 致沫
朝鮮大工
関連論文
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 4p-D-6 エピタキシアル法によるシリコン薄膜SSDの試作(II)
- 12p-T-6 PF精密X線光学実験装置VI
- 4a-SD-3 TARNに於けるSchottky Signal の観測
- 12p-D-5 大口径シリコン検出器テスト(II)
- 28a-A-1 PHAデータ表示用高速対数変換ルーチン
- 3p-H-4 MAPPED AREA LOOK-UP法によるREAL-TIME粒子弁別
- 4a-T-3 長距離信号伝送における雑音混入の改良
- 4a-T-2 高分解能を要求する検出器信号のケーブル伝送
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 28a-A-2 エピタキシアル法によるシリコン薄膜SSDの試作
- 半導体検出器の進歩--シリコン検出器を中心として (X,γ線利用の世界の動向-1-)
- 3a-M-11 X線散漫散乱によるシリコン単結晶中の微小欠陥の解析
- 1p-H-2 DIGITAL STABILIZER
- 3a-K-7 高耐圧横溝付表面障壁型シリコン検出器
- 31p-NB-9 一体化E-dESi位置検出器
- 2a-SD-9 一体化dE_1-dE_2Si検出器
- 30a-RC-3 静電容量の大きい半導体検出器の為の電荷前置増幅器
- 30a-RC-1 NTD Si 検出器 (2)
- 28a-GH-5 一体化E-dE Si検出器(2)
- 2p-KD-1 多電極型SSD
- 31p JA-3 一体化E-dE Si検出器
- 31p JA-1 熱中性子転換注入によって製作したSi検出器
- 4a-SB-8 エピタキシァル法による薄膜SSDの試作(III)
- 4a-SB-5 ベースラインレストアラ形対数変換器
- 4a-FB-10 重イオン粒子選別器の開発 : 1
- 12a-E-10 SSDによる重イオン選別の解析的検討
- 12a-E-9 核研製粒子弁別器による各種粒子の測定
- 3a-Y-7 ES実験のためのエレクトロニクス(II) : 10進計数120MHzスケーラ
- 4a-B5-5 X線モアレ法によるSi上Niシリサイド膜の格子歪の観察
- 4a-T-4 ΔE・E粒子選別の一方法 III
- 1p-H-4 △E・E粒子選別の一方法 II
- 8a-B-6 ΔE・E型粒子選別の新方式
- X線2結晶法による裏面加工の評価 : 格子欠陥
- E. Kowalski: Nuclear Electronics, Springer-Verlag, 1970, 402頁, 16×23.5cm, $26.40.
- 2a-KC-3 Table look upによるon-line particle indentification
- 1a-F1-12 大口径シリコン検出器テスト(1aF1 素粒子実験(測定器))
- 28a-LG-4 陽電子消滅法を用いたシリコン中の格子欠陥の研究(格子欠陥)
- 1a-D1-1 中性子照射a-S_i:HのPA及びODMR(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
- 1a-A3-11 シンクロトロン放射光利用のX線散漫散乱による単結晶中の微小欠陥の解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)