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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- C-3-1 DWDM用波長検出機構の検討
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
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- SA-3-1 樹脂パッケージを用いた小型・高信頼性光アクセスデバイス
- 半透過型フォトダイオードを用いた1.3μm-TCM用送受信モジュールの開発
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
- 3インチInP基板上への低暗電流メサ型GaInAs pin PDの作製
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
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- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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