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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- C-10-9 グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-12-9 バースト対応TIAのためのTrを使ったスイッチ回路(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- 斜め端面を有するファイバグレーティングレーザ用半導体光アンプの作製と評価
- C-3-14 低消費電力駆動可能なSFP+用シャント駆動TOSA(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CATVにおける64QAMの妨害波-ビット誤り率特性
- AGC方式光受信用プリアンプICの開発
- C-3-62 低コスト10Gbit/s温調EML-TOSAの開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-100 3.3V対応2.5Gbps光送信モジュール
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