スポンサーリンク
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- C-2-42 5GHz帯低コスト4W GaAs WLANアンプモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-32 InGaP-HBTを用いた高出力パワーアンプ用リニアライザモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-3-139 3.3V 単一電源同軸型 10Gb/s PD プリアンプモジュール
- 雑音耐性に優れた光受信モジュール
- 6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
- 3) BSコンバータ用GaAs MMIC(〔コンシューマエレクトロニクス研究会 放送方式研究会 放送現業研究会〕合同)
- BSコンバータ用GaAsMMIC : コンシューマエレクトロニクス,放送方式,放送現業
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- 50%透過型PDを用いたTCM用双方向光モジュールの開発
- 10G-EPON OLT用トランスインピーダンスアンプ--トランジスタで構成したスイッチ回路の開発 (光通信システム)
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ