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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- 光-CVD膜の電子材料への応用 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- 原子間力顕微鏡による血管内皮細胞のヤング率測定
- 種々コラーゲン・マトリックスの神経細胞の分化に及ぼす影響