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九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- ポリイミド上に堆積したCu-1mass%Ti合金薄膜の密着性および結晶配向性
- Interuniversity Microelectronics Center(IMEC)における海外研究体験
- C-12-60 CMOS偶数段リング発振回路の発振条件の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- ワード線リセットコライズによる大容量SRAMの高速化技術
- PLLによるクロック比例タイミング発生回路を搭載した220MHzパイプライン動作の16Mb BiCMOS SRAM
- 一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
- 高密度エリアバンプ接続のためのコンプライアントバンプ
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
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- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
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- 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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- 金属インプリント法による結晶粒位置制御と単結晶Si薄膜トランジスタへの応用(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT
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- 金属インプリント法による多結晶シリコンの核発生制御
- SC-8-7 金属インプリント法による結晶粒位置制御と薄膜トランジスタへの応用
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