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九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- C-12-12 SRAM SNM評価用ユニバーサルインバータTEGの設計と評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-40 複数個のラッチを有する偶数段リング発振回路の検討(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- C-3-65 スラブ導波路にアイランドを設けたAWG (II)
- C-3-64 スラブ導波路にアイランドを設けたAWG(I)
- C-3-134 傾斜リブ導波路カプラのADI-BPM解析における量子化誤差の低減
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- B-10-77 OIP(Optical-interconnection as IP of a CMOS Library)による3.125Gbit/s/port16×16光I/Oクロスポイントスイッチ
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s16×16クロスポイントスイッチ
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ
- インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
- 金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
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